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ZPDP38B-S60
ZPDP38B-S60 是一个凸透镜微型封装，高速高灵敏度 PIN 光电二极管， 该装置与红外发射二极管相匹配。
ZPDP38B-S60 is a convex lens micropackage, high speed and high sensitivity PIN photodiode, The device is matched with an
infrared-emitting diode.
特性 Feature
--感应速度快、感光度强
Fast response time 、High photo sensitivity
--无铅材料、Rohs 认证
Pb.Free 、RoHS compliant version
应用 Application
--红外应用系统、光电开关、复印机、扫描仪、洗衣机
Infrared applied system 、Optoelectronic switch 、Copiers 、Scanners 、Amusement machines
产品尺寸 Package Dimension
备注 Notes:
--所有尺寸为毫米标识
All dimensions are in millimeters --未标识尺寸正负公差为 0.3mm
Tolerances unless dimensions ±0.3mm
光电特性 Electro-Optical Characteristics
|
电性参数（温度=25℃) Parameter（Ta=25℃) |
符号 Symbol |
条件 Condition |
最小值 Min. |
典型值 Typ. |
最大值 Max. |
单位 Units |
|
开路电压 Open-Circuit Voltage |
VOC |
λP=940nm Ee=5mW/cm2 |
-- |
0.38 |
-- |
V |
|
短路电流 Short-Circuit Current |
Isc |
λP=940nm Ee=1mW/cm2 |
-- |
13 |
-- |
μA |
|
反向光电流 Reverse Light Current |
IL |
λP=940nm VR=5V Ee=1mW/cm2 |
-- |
15 |
-- |
μA |
|
反向暗电流 Reverse Dark Current |
ID |
VR= 10V Ee=0mW/cm2 |
-- |
5 |
30 |
nA |
|
上升时间 Rise Time |
tr |
VR= 10V RL= 1000Ω |
-- |
50 |
-- |
nS |
|
下降时间 Fall Time |
tf |
-- |
50 |
-- |
||
|
反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage |
BVR |
Ee=0mW/cm2 IR= 100μA |
32 |
150 |
-- |
V |
|
总电容 Total Capacitance |
Ct |
Ee=0mW/cm2 VR=5V f= 1MHZ |
-- |
25 |
-- |
pF |
|
感应波长范围 Rang of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
-- |
800 |
-- |
1100 |
nm |
|
峰值感应波长 Wavelength of Peak Sensitivity |
λP |
-- |
-- |
940 |
-- |
nm |
最大额定值 Absolute Maximum Ratings
|
测试项目 Parameter（Ta=25℃) |
符合 Symbol |
范围 Ratings |
单位 Unit |
|
功率 Power Dissipation *1 |
Pd |
150 |
mW |
|
反向电压 Reverse Voltage |
VR |
35 |
V |
|
工作温度 Operating Temperature |
Topr |
-25~+85 |
℃ |
|
储存温度 Storage Temperature |
Tstg |
-40~+85 |
℃ |
|
焊接温度 Lead Soldering Temperature*2 |
Tsol |
260 |
℃ |
*1 、 在 25 摄氏度的环境中测试 below 25 Free Air Temperature *2 、离胶体 2mm 以上焊接 5s 内 2mm form body for 5 seconds